當前位置:英國普拉勒科技有限公司-普拉勒(南京)儀器科技有限公司>>氫氣發生器>>氣相色譜/半導體/CVD,MOCVD專用氫氣發生器>> 半導體專用氫氣發生器(CVD,MOCVD專用)
半導體專用氫氣發生器(CVD,MOCVD專用)不僅能夠提供高純度、穩定壓力的氫氣,還具有多項結構優勢和應用功能,是半導體制造過程中重要的設備。
半導體專用氫氣發生器(CVD,MOCVD專用)通常采用先進技術,如固態聚合物電解質(SPE)技術,以確保產生高純度的氫氣,同時具備穩定的壓力輸出,這對于半導體生產中的清洗、退火、賦活處理以及硅晶片的取向和外延生長調控等關鍵過程至關重要。
半導體專用氫氣發生器(CVD,MOCVD專用)產品特點
1.創新技術應用:采用英國Peculiar的離子膜技術和分子篩耐用干燥劑,確保產生的氫氣純度高達99.9999%,為半導體制造提供高品質的氣體環境。
2.高效純化系統:通過先進的氫/水分離技術和除濕處理,有效分離并去除氫氣中的水分,保證輸出氫氣的純凈度。
3.自動水位控制與補水功能:設備具備自動水位監控和補水系統,當水量低于設定值時自動停機并補充水源,確保設備運行安全,延長使用壽命。
4.微電腦控制:集成微電腦控制系統,實時監測和調整壓力與流量,保持氫氣輸出的穩定性和可靠性。
5.環保與安全設計:采用無堿液電解技術,直接電解純水,減少環境污染;同時,所有材料選擇均符合高標準環保要求,確保操作過程的安全。
半導體專用氫氣發生器應用領域
1.清洗與退火:氫氣作為清洗氣體,有效去除表面污染物和氧化物,提供清潔的表面,并用于退火過程促進晶體再結晶。
2.賦活處理:通過將水合氧化物轉化為電氧化物,提高雜質離子濃度,改善半導體器件性能和穩定性。
3.硅取向和外延生長調控:通過精確控制氫氣的流量和溫度,實現硅晶片特定方向的優先生長,獲得所需的硅材料取向。
4.清除氧污染:在特殊工藝中利用氫氣清除氧氣污染,避免生成影響器件性能的氧化物。
半導體專用氫氣發生器(CVD,MOCVD專用)安全操作要求
1.正確接線與確認參數:在啟動半導體專用氫氣發生器前,應確保設備接線正確,電源輸入電壓、電流及氫氣純度、流量等參數符合要求。
2.禁止私自調整:嚴禁在設備運行中隨意調整安全保護參數,如電流和氫氣流量,并且不應在未經授權的情況下進行機內部件的更換或調整。
3.良好通風與禁止危險操作:確保設備使用區域通風良好,不得將設備置于爆炸危險環境中,如靠近火源或易燃物旁。
半導體專用氫氣發生器(CVD,MOCVD專用)安全保護措施
1.防止氣體泄漏:確保氫氣發生器輸出口氣管連接正確,防止氫氣泄漏。
2.避免異常工作:在使用過程中,如發生器出現異常工作情況,須立即停機檢查,并由專業人員進行問題排查和解決。
半導體專用氫氣發生器(CVD,MOCVD專用)使用注意事項
1.檢查輸出口氣管:在供氫前,必須檢查氫氣發生器輸出口的氣管是否已正確連接。
2.斷開電源前操作:在關閉并斷開電源前,應先拔掉輸出口氣管,避免殘留氫氣造成的安全隱患。
半導體專用氫氣發生器(CVD,MOCVD專用)保養和檢修
1.定期維護清潔:為延長設備使用壽命并保持其高效運行,必須定期對氫氣發生器進行維護保養,包括清洗和更換吸附劑等關鍵部件。
2.記錄維護信息:每次維護檢查后,應詳細記錄設備狀態、檢查人員信息及維護日期,以備后續查看和故障排查。
半導體專用氫氣發生器(CVD,MOCVD專用)常見問題解決方案
1.避免氫氣泄漏的措施:定期檢查設備氣路的密封性,發現問題及時修復,并使用符合標準要求的設備來運輸和存儲氫氣。
2.保持氫氣純度的方法:嚴格遵守使用規范,定期更換吸附劑,并使用相同類型和規格的吸附劑,以確保氫氣的純度。